滄海桑田話存貯 內存/顯存發展編年史

    上文說的DDR1-3代技術固然沒錯，但事實遠遠不是那么簡單，如果僅僅依靠I/O或者數據預取位數翻倍就能造出DDR3來，那DDR2還能執內存市場之牛耳數年之久么？下面我們就來探索一下這幾年中內存產業發生的那些并不為人關注的事兒。

　　事實上DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。

 　DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的根本原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式，不同于曾經廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

 　 封裝和工藝的改進讓DDR2內存用1.8V電壓即可驅動，相對于DDR標準的2.5V，功耗和發熱量大大降低，為沖擊更高頻率掃清了障礙。

　　除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。

 　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。

 　　ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證非常好的的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了非常好的的信號品質，這是DDR不能比擬的。

 　　Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。