滄海桑田話(huà)存貯 內(nèi)存/顯存發(fā)展編年史

    之前我們分析過(guò)，TSOP封裝的GDDR1還有g(shù)DDR2顯存，其實(shí)在技術(shù)上與DDR1/2內(nèi)存沒(méi)有本質(zhì)區(qū)別，高位寬(16bit)的內(nèi)存顆粒可以直接當(dāng)作顯存使用。隨著DDR3顆粒大量投產(chǎn)，成本接近DDR2，于是在DDR3內(nèi)存取代DDR2的同時(shí)，也將順便取代老舊的gDDR2。

● gDDR3：把內(nèi)存顆粒改裝成顯存用

    以目前的情況來(lái)看，DDR3比gDDR2頻率高很多，但成本比GDDR3要低，所以gDDR2被取代是板上釘釘?shù)氖隆MD率先將DDR3使用在了顯卡上，隨后得到了業(yè)界的一致認(rèn)可。

    為了和DDR3內(nèi)存顆粒區(qū)分，DRAM廠將其稱(chēng)為Graphics DDR3 SDRAM，簡(jiǎn)寫(xiě)為gDDR3，和DDR3內(nèi)存顆粒一樣都是8bit預(yù)取技術(shù)，單顆16bit，定位中低端顯卡；而傳統(tǒng)的GDDR3則是Graphics GDDR3 SDRAM的簡(jiǎn)寫(xiě)，它和DDR2內(nèi)存一樣采用了4bit預(yù)取技術(shù)，單顆32bit，定位中高端顯卡。

    可以看出，在高端GDDR5將會(huì)取代GDDR3，而低端gDDR3將會(huì)取代gDDR2，中端則會(huì)出現(xiàn)三代共存的局面。雖然gDDR3單顆位寬只有GDDR3的一半，但存儲(chǔ)密度卻是GDDR3的兩倍，而且在相同頻率下(比如2000MHz)，gDDR3的核心頻率是GDDR3的一半，因此功耗發(fā)熱要低很多。對(duì)于位寬不高的中低端顯卡來(lái)說(shuō)，gDDR3大容量、低成本、低功耗發(fā)熱的特性簡(jiǎn)直相當(dāng)完美！

    上圖就是現(xiàn)代官方網(wǎng)站列出的gDDR3和GDDR3兩種顯存的規(guī)格參數(shù)表，注意它們的全稱(chēng)，是否有"G"，真的是差之毫厘謬以千里。

    gDDR3源于DDR3，技術(shù)特性上沒(méi)有區(qū)別，主要在封裝上面。gDDR3作為對(duì)顯卡優(yōu)化的版本，單顆16bit FBGA 96Ball封裝；而DDR3多為單顆4/8bit，封裝是78/82Ball。也有少數(shù)DDR3使用了16bit FBGA 96Ball封裝，由于位寬太大僅用于特殊場(chǎng)合。