滄海桑田話存貯 內(nèi)存/顯存發(fā)展編年史

● GDDR——顯存和內(nèi)存正式分家

    GDDR作為第一代專用的顯存芯片，其實在技術(shù)方面與DDR沒有任何區(qū)別，同樣采用了2bit預(yù)取技術(shù)，理論頻率GDDR并不比DDR高多少。不過后期改進(jìn)工藝的GDDR有了優(yōu)秀PCB的顯卡支持之后，GDDR顯存最高沖刺至900MHz，而DDR內(nèi)存只能達(dá)到600MHz左右，顯存和內(nèi)存的差距從此逐漸拉開。

• TSOP封裝的GDDR 16bit：

    8M×16Bit 4.0ns TSOP II封裝的GDDR，單顆16MB，理論頻率500MHz
當(dāng)年9550、FX5700等128Bit中端卡需要搭配8顆才能組成128Bit

    TSOP封裝的GDDR顆粒，外觀規(guī)格特性都與DDR內(nèi)存顆粒沒有什么區(qū)別，所以在很多人看來“GDDR”與“DDR”是可以“劃等號”的。其實兩者還是有些差別：

• GDDR采用4K循環(huán)32ms的刷新周期，而DDR采用8K循環(huán)64ms的刷新周期；
• GDDR為了追求頻率在延遲方面放的更寬一些，畢竟GPU對延遲不太敏感；
• GDDR顆粒的容量小、位寬大，一般是8×16Bit(16MB)的規(guī)格，而DDR顆粒的容量大、位寬小，雖然也有16Bit的顆粒，但最常見的還是8Bit和4Bit，單顆容量32MB或64MB。

    為了實現(xiàn)更大的位寬，并進(jìn)一步提升GDDR的性能，后期很多廠商改用了電氣性能更好的MBGA封裝，當(dāng)然也有內(nèi)存顆粒使用MBGA封裝，但規(guī)格已有了較大差異，主要是顆粒位寬不同。

• MBGA封裝的GDDR 32bit：

    4M×32Bit 2.2ns MBGA封裝的GDDR，單顆16MB，理論頻率900MHz
8顆組成128MB 256Bit規(guī)格，是GDDR1最后的輝煌。

    MBGA封裝GDDR的單顆位寬首次達(dá)到了32Bit，從此就標(biāo)志著GDDR與DDR正式分道揚鑣，32Bit的規(guī)格被GDDR2/3/4/5一直沿用至今。

    GDDR顯存的這兩種封裝：MBGA與TSOP構(gòu)成的高低配，曾一度一統(tǒng)顯卡市場。雖然GDDR已經(jīng)退出歷史舞臺，但32Bit主攻中高端、16Bit主攻低端的局面，時至今日依然得到了延續(xù)。