并非完美的風暴，10款Athlon64主板

● 關于倍頻調節問題

    AthlonXP時代，AMD公司的處理器最吸引人的特性恐怕就是倍頻可調了。那么在Athlon64處理器這邊，情況會不會有所變化呢？

    有些消息稱Athlon64系列處理器已經完全鎖住了倍頻，但是從此次的評測來看，事實并非如此。至少在本次評測中，我們發現該系列處理器完全可以降低倍頻使用。

    如上圖，我們在青云的K8X800PRO2主板上，就通過調節BIOS，將一顆普通Athlon64 3200+的倍頻最低降到了4倍頻！不過提高倍頻方面，該款主板最新版本的BIOS里也并沒有提供10倍頻（即Alton64 3200+的默認倍頻）以上的選項給用戶調節，具體原因不明。

    以下是我們這次橫向測試所使用的CPU，從編號上看并不是特殊的樣品版本，應該同市面上出售的型號基本一致。

 試驗所用的CPU（點擊放大）

    沒有完全鎖住倍頻的Athlon64處理器，對于DIY愛好者來說顯然是個好消息。不過需要各位注意的是，以各主板廠商送測的產品來看，即使更新到目前最新的BIOS版本，也只有極少數的廠家提供了倍頻調節選項。本次所收到的送測樣品中，暫時只有青云具備該項功能。相信隨著時間的推移，各品牌主板也將逐步加入此項功能。

● Athlon64平臺搭配DDR內存的一些問題

    首先是DDR內存電壓的設置問題。在本次評測前期，我們發現幾乎所有的參測主板在測試過程中都發生了頻頻重啟和死機的現象。經檢查，最后確定是由于BIOS中默認的DDR內存電壓設置值過低所致。通過提高內存電壓至2.7V左右，則上述不穩定現象消失。

    為了排除上述故障為內存條的原因，我們將測試平臺所用內存與其它平臺上的內存互換。進行同樣的內存時序設置、同樣的運行頻率以及同樣的電壓設置后，放在其它類型的主板上時一切正常；而其它平臺上所用的內存拿到測試平臺上使用，如果不手動調節電壓，則均出現工作不穩定的現象。

    由于DDR I/O電壓是內存條以及含于Athlon64 3200+中的內存控制器所共有。因此編輯的疑點基本集中在Athlon64 3200+中的內存控制器上。也就是說，我們懷疑只有在DDR I/O電壓為2.6～2.7V左右時，當前核心的Athlon64 3200+內置的內存控制器才能在DDR400條件下穩定工作。

    不論如何，在Athlon64主板上使用DDR400的時候，請大家注意很容易被忽視的DDR I/O電壓調節問題，如果使用中出現不穩定，請試著調節其值為2.6～2.7V。同時我們也希望主板廠商在BIOS默認值的設置上對此稍加注意，以減少用戶使用時的麻煩。至于使用那些目前為止還沒有在BIOS中設置DDR電壓調節選項，而又以較低的DDR電壓為默認值的主板時，我們就更需要加以注意了。

    謹慎起見，我們給出驗證此問題時所使用的3種內存條及其使用的顆粒，驗證過程中不對內存時序、電壓參數進行特別的調節，而均使用默認設置。同時驗證過程中均同時使用兩條同型號的內存共同工作。

    ◎ Kingston DDR333 512MB內存條，使用16顆Infineon編號為HYB25D256800BT-6 32M×8的顆粒，采用×8 Double-Rank結構，SPD默認時序為9-4-4-2.5。

 Kingston DDR333內存條（點擊放大）

    ◎ Corsair XMS DDR400 256MB內存條，使用Winbond 的W942508BH-5 32M×8，顆粒為8顆，采用×8 Single—Rank結構，SPD默認時序為6-2-2-2。

 Corsair XMS DDR400 內存條（點擊放大）

    ◎ 富豪DDR433 256MB內存條，顆粒編號未知，SPD默認時序為6-3-3-2.5

 富豪DDR433內存條（點擊放大）

    接下來，依然是有關內存的事項，在Athlon64處理器的第3版Datasheet中，明確指出其內置的內存控制器，官方支持的最大內存條數目如下：

    ◎ 在DDR400的情況下最大支持兩條普通內存條（Unbuffered）

    ◎ 最多支持3條普通內存條，4條Registed內存條

    除此以外，由于內存控制器內置，Athlon64平臺對于內存條的形式也提出了一定的要求，這也是我們所要注意的。具體情況您可以參看下表（摘自AMD Athlon64 Processor Data Sheet 03年9月份版）：

 點擊放大

    需要說明的是：上表中×8表示內存條所使用的內存芯片位寬，而表中提及的Rank則可使用以下的公式來計算：

    ◎ 內存條Rank數目＝單顆內存芯片位寬×內存條上芯片總數量÷64

    所得結果為“1”則對應表中的Single Rank，為“2”則對應表中的Double Rank。有關這方面的更詳細解說請看本站的“高手進階，終極內存技術指南——完整/進階版”一文。

    根據我們的核對，以上表格與眾多主板提供的說明書中有關內存支持的表述基本吻合，可以說具備一定的代表性和參考價值。

    還有一個關于內存方面的有趣現象是，由于目前推出的主板中，部分設置了3個內存插槽。因此為了使3條內存能夠更穩定地使用，凡是這樣內存插槽設計的主板，大多都在板上額外設置了能夠增強時鐘信號驅動能力的DDR內存時鐘扇出緩沖芯片（Fanout Buffer）。

    目前比較具有普遍性的方案是使用ICS93732AF或ICS93776AF芯片，其位置一般在內存插槽附近，靠近主板邊緣布置DDR總線端接電阻的區域，成為3內存插槽設計主板的一道獨特風景。下圖就是3內存槽設計的青云K8X800PRO2主板，使用的ICS93776AF芯片及其位置圖。

    這類時鐘扇出緩沖芯片（Fanout Buffer）與我們所熟悉的主板時鐘發生器（Generator）作用不同，請大家注意區分。

    此外還有一些新增加的有關Hypertransport總線頻率、上下行位寬以及Hypertransport總線電壓的BIOS調節選項了。

    關于Hypertransport總線的基本知識，我們已經在以前的專題中提過，因此不再重復。稍微了解它的朋友們都知道，Hypertransport總線的三個重要的參數是總線頻率、上下行位寬以及總線電壓。

    ◎ 在絕大部分的K8主板上，總線頻率（LDT freqncency）以200MHz的倍數來表示，例如使用1×、2×、4×的表示方法，就分別對應200MHz、400MHz以及800MHz的總線頻率；

    ◎ 在使用nForce3 150芯片組的主板上，由于nForce3 150使用600MHz的HyperTransport總線頻率，因此默認情況下應選擇3×，而其它芯片組均可大膽設置為4×。

    ◎ 總線的位寬（LDT width）問題，在使用nForce3 150芯片組的主板上，由于nForce3 150使用600MHz的HyperTransport總線頻率，8bit×16bit的上、下行位寬，因此各主板一般都提供了下行位寬的調節選項，一般有“Auto”以及“8bit”兩個選項，這里我們一般選擇“Auto”就可以。其它芯片組的主板，則均可設置為16bit。

    ◎ 少數主板還提供了總線電壓（LDT Voltage）選項可供選擇，一般有1.2V和1.3V等值可供選擇，除非特殊需要，一般不需要對此調節。<