皓龍144超3G都沒戲 512K緩存賽揚測試

　　首先，我們當然要為您介紹一下新Celeron D的核心Cedar Mill（具體可參看《AMD終于落后了!65nm新核心P4全面測試》一文。Cedar Mill作為新一代P4核心，實際上并不是一種新的架構，他完全沿用了Prescott核心的設計，所以性能上并沒有提升。不過由于采用了先進的65nm制造工藝，使得發熱量大幅下降，2MB L2緩存也讓其性能備受期待。下面我們來看看Cedar Mill核心具備哪些新技術。

● 繼續使用“應變硅”技術

    在Cedar Mill當中Intel繼續使用其“應變硅”技術來控制高頻工作下的漏電流，而不是SOI。應變硅的技術原理是將在MOS管的柵極下溝道處的硅原子的間距加大，減小電子通行所受到的阻礙，也就是相當于減小了電阻，當MOS管打開的時候電流就會更順利地沿著拉伸方向在源極和漏極之間流動，這樣一來半導體器件發熱量和能耗都會降低，而運行速度則得以提升。

● 晶體管“深度睡眠”技術

    另外，Cedar Mill和Presler（65nm雙核）核心都能夠自動關閉未使用的晶體管（包括部分緩存區域和其他功能模塊），或者說是使這部分晶體管處于深度睡眠狀態，而Intel稱喚醒這部分晶體管所需時間非常短不會造成性能上的延遲。

● 65nm工藝8層銅互連技術攻克

 從處理器外觀上看不出來P4 Cedar Mill和P4 Prescott有什么區別

● TDP（設計功耗）降低：

    相比早先的Prescott核心，Cedar Mill(3.0到3.6GHz)的設計功耗從95瓦下降到了86瓦，而通過我們的實際測試，在滿負荷情況下Cedar Mill的功耗比Prescott（同為2MB二級緩存）下降了20%，由此以來Intel在處理器“每瓦特性能”對比中與AMD差距進一步縮小。

　　采用Cedar Mill的新Celeron，具備了P4級處理器1/4容量的L2緩存，也就是512KB，這對Celeron系列來說可以說是個相當大的突破。測試中顯示，P4處理器緩存由1MB升級到2MB，性能提升并不是很大，這顯然是受核心架構的限制。但對于本就緩存容量有限的Celeron來說，256KB到512KB的提升，絕對是相當有意義的一步。同時，采用65nm高工藝也讓新Celeron的超頻性能備受期待，是否會有像300A一樣經典的產品出現呢？下面我們就來具體了解一下本次測試的主角Celeron D 356。