火星撞地球 優異雙核FX60對決PEE 955
65nm工藝將把泄漏降低四倍，同時與90nm晶體管相比性能卻不會降低。其秘密在于英特爾的“應變硅”技術。當然，它在90nm工藝中也使用了應變硅，但在65nm節點中使用的卻是第二代產品，它能夠在使晶體管性能提高10%-15%的同時卻不會增加泄漏。 65nm工藝還采用了Low K介電質，這種材料能夠進一步限制泄漏。該工藝采用的是8層排列的銅線互連。
Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代應變硅技術，銅互連以及低K值電介質。4Mbit的芯片單元大小僅有0.54平方微米，每個單元由6個晶體管組成。Intel介紹1000萬個這樣的芯片和圓珠筆尖相當。
65納米技術SRAM芯片
300毫米晶圓
英特爾首席執行官保羅·奧特里尼（Paul S. Otellini）在本年IDF大會的演講中表示，到2006年第3季度，多內核微處理器在微處理器總供貨量中所占的比例預計將超過50％。2007年，在臺式電腦和筆記本電腦領域預計都將達到90％，在服務器領域將接近100％。在該公司于2005年3月召開的IDF會議上，曾預測2006年將達到70％以上。
Intel基于65nm制程生產的處理器已知會在年底量產并在明年初開始陸續推出上市（其好處除能節省生產成本以外還可降低現有90nm制程P4/D/Celeron的功耗，而未來則也可幫助Intel提高處理器性能生產新一代架構的處理器），那么AMD的65nm制程開發現在的進展又如何呢？AMD方面在今年十月中正式啟用其首座65nm制程300mm晶圓廠Fab36，而相關的生產設備目前也已開始安裝。
65nm工藝技術細節
高級晶體管：英特爾新的65納米制程將采用門長度僅35納米的晶體管，這是當前開始量產的尺寸最小、性能最高的CMOS晶體管。相比之下，今天非常先進的晶體管（用于英特爾®奔騰®4處理器）其門長度仍有50納米長。更小更快的晶體管是制造速度更快的處理器不可或缺的構建模塊。
應變硅（Strained silicon）：英特爾在新制程中采用了其第二代高性能應變硅。應變硅可提供更高的驅動電流與更快的晶體管的速度，但制造成本卻只會有2％的提升。
采用新型低-K電介質材料的銅互連 (Copper Interconnects with new low-k dielectric)：新制程集成了八個銅互連層，使用低-K電介質材料來提高芯片中的信號速度和減少芯片功耗。
工藝真的如此重要？后面的測試會告訴我們的眾多猜想是否正確。
