是誰玩死了誰?CPU市場年度大事件回顧

    每一次工藝制程的變更，都將帶來處理器性能的飛躍。

    在更新的制程工藝上，Intel這一次稍稍領(lǐng)先。Intel最新的65nm處理器已經(jīng)在IDF大會上亮相。65納米（1納米等于十億分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶體管、第二代英特爾應(yīng)變硅、高速銅互連以及低-K電介質(zhì)材料。采用65納米制程生產(chǎn)芯片將使英特爾能夠?qū)斍皢蝹€芯片上的晶體管數(shù)量再翻一番。65nm晶體管不僅在尺寸上比90nm產(chǎn)品更小，而且還會降低能耗并減少電流泄漏。

    65nm工藝將把泄漏降低四倍，同時與90nm晶體管相比性能卻不會降低。其秘密在于英特爾的“應(yīng)變硅”技術(shù)。當然，它在90nm工藝中也使用了應(yīng)變硅，但在65nm節(jié)點中使用的卻是第二代產(chǎn)品，它能夠在使晶體管性能提高10%-15%的同時卻不會增加泄漏。 65nm工藝還采用了Low K介電質(zhì)，這種材料能夠進一步限制泄漏。該工藝采用的是8層排列的銅線互連。

    Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代應(yīng)變硅技術(shù)，銅互連以及低K值電介質(zhì)。4Mbit的芯片單元大小僅有0.54平方微米，每個單元由6個晶體管組成。Intel介紹1000萬個這樣的芯片和圓珠筆尖相當。

65納米技術(shù)SRAM芯片

300毫米晶圓

     英特爾首席執(zhí)行官保羅·奧特里尼（Paul S. Otellini）在本年IDF大會的演講中表示，到2006年第3季度，多內(nèi)核微處理器在微處理器總供貨量中所占的比例預(yù)計將超過50％。2007年，在臺式電腦和筆記本電腦領(lǐng)域預(yù)計都將達到90％，在服務(wù)器領(lǐng)域?qū)⒔咏?00％。在該公司于2005年3月召開的IDF會議上，曾預(yù)測2006年將達到70％以上。

    65nm工藝技術(shù)細節(jié)

　　高級晶體管：英特爾新的65納米制程將采用門長度僅35納米的晶體管，這是當前開始量產(chǎn)的尺寸最小、性能最高的CMOS晶體管。相比之下，今天非常先進的晶體管（用于英特爾®奔騰®4處理器）其門長度仍有50納米長。更小更快的晶體管是制造速度更快的處理器不可或缺的構(gòu)建模塊。

　　應(yīng)變硅（Strained silicon）：英特爾在新制程中采用了其第二代高性能應(yīng)變硅。應(yīng)變硅可提供更高的驅(qū)動電流與更快的晶體管的速度，但制造成本卻只會有2％的提升。

　　采用新型低-K電介質(zhì)材料的銅互連 (Copper Interconnects with new low-k dielectric)：新制程集成了八個銅互連層，使用低-K電介質(zhì)材料來提高芯片中的信號速度和減少芯片功耗。

 位于美國的俄勒岡州的Fab36

    在明年上半年Intel將推出單核心的Pentium 4 CedarMill處理器，采用65nm工藝，集成2MB二級緩存，支持HT、EM64T，VT。型號有Pentium 4 631（3.0GHz，不支持VT）、632（3.0GHz）、643（3.2GHz）、653（3.4GHz）、663（3.6GHz）。