低電壓優(yōu)劣分析 1.35V DDR3-1600測試

    低電壓內(nèi)存也更符合我們環(huán)保的概念，使用低電壓內(nèi)存后整機(jī)的功耗都會(huì)降低。下面是國外某網(wǎng)站用1.5V DDR3內(nèi)存與1.3V DDR3內(nèi)存做的功耗對(duì)比測試。

    這兩組成績，表示的是在輕負(fù)載和重負(fù)載這兩種環(huán)境下，普通1.5V內(nèi)存和1.35V低電壓內(nèi)存的對(duì)比，從數(shù)據(jù)來看，低電壓內(nèi)存比普通內(nèi)存要低處2W-3W 左右。