低電壓優劣分析 1.35V DDR3-1600測試

    根據JEDEC的規范標準，通過提升硅晶圓芯片制造工藝而降低核心IO電壓以提升性能的DDR3內存模組，會推出稱作為DDR3L的低電壓版本內存規范，新標準規定電壓為1.35V，比較當前的1.5V標準還要低，這將會在絕大多數主流產品中節能20%。更低的電壓意味著工藝更加成熟、功耗更低，甚至超頻性能也會比普通內存要更加出色。

1.35V DDR3內存

    新低電壓內存將會和當前現存的1.5V版本DDR3內存相互兼容，但前者并不會受到原有規范的制約，所有基于JEDEC規范的DDR3內存模組都會配備SPD（serial presence detect）芯片，該芯片EEPROM存儲于SMbus之上，其中包括內存模組將提供給系統的容量以及模組特征信息，包括電壓，因此系統就能夠借此固件信息兼容支持最新的DDR3L內存模組。同時模內標簽也做了相應變動：面向普通PC的常規產品是“PC3L”，面向嵌入式產品的則是“EP3L”。

    來自AMD公司的JC-42.3內存發展委員會主席Joe Macri表示，全新的低電壓內存標準和整個業界有關于低功耗節能設計準則相吻合，為內存技術推進發展委員會還會繼續就此方面進行論證和研究，未來不排除推出1.25V甚至更低電壓的內存產品，而電腦系統的研發人員也會就此考慮采用更低能耗設計標準的產品。