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          光刻蝕完成后,要記得把感光層去掉(這里形成了部分裸露硅層),下一步就是加入帶有感光層的多晶硅層,此處用到了金屬原料,因此多晶硅層又被稱為CMOS(即金屬氧化物半導體),多晶硅允許在晶體管隊列端口電壓起作用之前建立門電路。此后就是再次進行光刻蝕,最后再對暴露在外面的硅層進行離子轟擊,以生成N溝道或P溝道,創建全部的晶體管及彼此間的電路連接。

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      光刻蝕后要去掉感光層

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      創建晶體管及之間的電路連接

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