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          半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻裝置,于1960出現,然而其理論基礎Peltier effect可追溯到19世紀。如圖是由X及Y兩種不同的金屬導線所組成的封閉線路,通上電源之后,冷端的熱量被移到熱端,導致冷端溫度降低,熱端溫度升高,這就是著名的Peltier effect。這現象最早是在1821年,由一位德國科學家Thomas Seeback首先發現,不過他當時做了錯誤的推論,并沒有領悟到背后真正的科學原理。

          到了1834年,一位法國鐘表匠,同時也是兼職研究這現象的物理學家Jean Peltier,才發現背后真正的原因,這個現象直到近代隨著半導體的發展才有了實際的應用,也就是“致冷器”的發明(注意,這種叫致冷器,還不叫半導體致冷器)。

          下面我們來看一下半導體致冷器的結構。

          由許多N型和P型半導體之顆粒互相排列而成,而N P之間以一般的導體相連接而成一完整線路,通常是銅、鋁或其他金屬導體,最后由兩片陶瓷片像夾心餅干一樣夾起來,陶瓷片必須絕緣且導熱良好。

          了解這么多我們已經能夠了解知道半導體是如何散熱的了,下面讓我們看看這種制冷對超頻有什么影響。<

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