六翼天使的逆襲!羿龍II X6處理器測試

● 45nm牽一發(fā)動全身：Phenom II技術(shù)解析！

    這顆基于45nm工藝制作的處理器依舊延續(xù)之前的“巴塞羅那”架構(gòu)，不過由于制程和緩存的提升，無論在功耗還是性能上都有不俗的表現(xiàn)，究竟這顆號稱性能最高提升35%，功耗最高降低35%的AMD產(chǎn)品有何特別之處呢？

    ▲ 1.采用45nm SOI沉浸式光刻制造技術(shù)

　　AMD的45納米制程工藝是聯(lián)合IBM一同研發(fā)的。有趣的是，與英特爾的高-K金屬柵極不同，AMD和IBM的技術(shù)是超低K電介質(zhì)互聯(lián)。而另兩項(xiàng)相關(guān)技術(shù)分別是：多重增強(qiáng)晶體管應(yīng)變技術(shù)和沉浸式平板印刷術(shù)。

　　簡單來說，多空、超低K電介質(zhì)可以降低串聯(lián)電容、降低寫入延遲和能量消耗，從而明顯提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷術(shù)，實(shí)際上就是在激光蝕刻頭的中間加入一種特殊的液體來修正光的折射，從而讓其在晶圓上更好的刻錄晶體管。用這種工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn)的SRAM芯片可獲得大約15％的性能提升。真正解決AMD在 45納米技術(shù)難題的是多重增強(qiáng)晶體管應(yīng)變技術(shù)，AMD和IBM稱，與非應(yīng)變技術(shù)相比，這一新技術(shù)能將P溝道晶體管的驅(qū)動電流提高80％，將N溝道晶體管的驅(qū)動電流提高24％。