深入淺出透徹詳細(xì) 入門必讀之超頻ABC
軟超頻就是在系統(tǒng)的BIOS中進(jìn)行超頻的設(shè)置過(guò)程。不同BIOS版本的主板中軟超頻的設(shè)置存在著一些差異，在此我們以Award BIOS、AMI BIOS和Phoenix BIOS三種最常見(jiàn)的BIOS版本為例，平臺(tái)則是兩個(gè)Pentium 4平臺(tái)，一個(gè)AthlonXP平臺(tái)。
● 軟超頻之Award BIOS超頻設(shè)置
Award BIOS中設(shè)置方法
在Award BIOS中設(shè)置CPU外頻
我們用來(lái)進(jìn)行軟超頻的CPU是一塊Pentium 4 2.0GA，開(kāi)機(jī)后按下DEL鍵進(jìn)入BIOS主菜單。進(jìn)行軟超頻的設(shè)置在右邊一欄的第一行“Frequency/Voltage Control”。首先我們來(lái)調(diào)整CPU的外頻，將光標(biāo)移動(dòng)到“CPU Clock”上，然后回車，就會(huì)出現(xiàn)新的菜單，手動(dòng)輸入想設(shè)置成的CPU外頻數(shù)值，在此允許輸入的數(shù)值范圍在100-200之間。原則上來(lái)講，第一次超頻時(shí)因?yàn)椴磺宄﨏PU究竟可以在多高的外頻下工作，因此輸入的數(shù)值可以以3MHz～5MHz為臺(tái)階一點(diǎn)點(diǎn)地提高，以便最大限度地發(fā)揮CPU的潛能。在此為了示范，我們直接將外頻設(shè)置成了133MHz這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)外頻，設(shè)置完畢后，按回車鍵確定。
設(shè)置外頻與內(nèi)存總線頻率的比值
接下來(lái)再讓我們進(jìn)入“CPU：DRAM Clock Ratio”，設(shè)置外頻與內(nèi)存總線頻率的比值。如果您使用的是DDR333內(nèi)存，它的標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行頻率可以達(dá)到166MHz，由于剛才我們已經(jīng)把外頻設(shè)置成了133MHz，因此在此可以選擇“4:5”，讓內(nèi)存也運(yùn)行在最高的頻率。如果您使用的是DDR266內(nèi)存，可以設(shè)置成“1:1”，讓二者同步工作，也可以設(shè)置成“4:5”，然后再加一些內(nèi)存電壓，嘗試一下超頻內(nèi)存。
調(diào)節(jié)CPU的核心電壓
第三個(gè)步驟是調(diào)節(jié)CPU的核心電壓。如果想讓CPU在高頻率下工作，通常都需要適當(dāng)?shù)丶右稽c(diǎn)兒電壓來(lái)保證CPU的穩(wěn)定運(yùn)行。我們進(jìn)入“Current Voltage”，Pentium 4 CPU的額定核心工作電壓為1.5V，通常不超過(guò)1.65V的電壓都是安全的。但為了不使發(fā)熱量大幅增加，應(yīng)該盡可能地少加電壓，一點(diǎn)一點(diǎn)兒地逐漸提高，不必急于一步到位。在此我們先選擇1.55V嘗試一下。請(qǐng)注意，超過(guò)1.70V的電壓對(duì)于Northwood核心的Pentium 4來(lái)說(shuō)都是危險(xiǎn)的，有可能會(huì)燒壞CPU！
增加內(nèi)存的電壓
下一步不是必須的，就是提高給DDR內(nèi)存供電的電壓。DIMM模組的默認(rèn)電壓為2.5V，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，或是也超頻了內(nèi)存，那么可以適當(dāng)提高一點(diǎn)內(nèi)存電壓，加壓幅度盡量不要超過(guò)0.5V，否則有可能會(huì)損壞內(nèi)存。由于我們?cè)诖擞玫氖荄DR333內(nèi)存，完全可以在166MHz下正常運(yùn)行，因此只是示意性地增加0.1v。
增加AGP顯示卡的電壓
最后，在這里面還可以看到給AGP顯示卡提高工作電壓的選項(xiàng)。如果您所超的外頻為標(biāo)準(zhǔn)外頻，并且同時(shí)也讓顯示卡超頻工作了的話，那么可以考慮適當(dāng)提高一些AGP總線的電壓。AGP總線默認(rèn)電壓為1.5V，在此我們示意性地提高了0.1V。
全部設(shè)置完成后，最后檢查無(wú)誤，保存設(shè)置，退出并重新啟動(dòng)計(jì)算機(jī)。如果超頻不成功或是機(jī)器重新啟動(dòng)后沒(méi)有點(diǎn)亮，則需要關(guān)閉計(jì)算機(jī)利用主板上的CMOS跳線清除CMOS信息，再開(kāi)機(jī)重新設(shè)置。<
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