1200MHz大挑戰(zhàn) 金邦DDR2-800超頻測試
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800MHz 5-5-5-15 1.8V 首先，我們在默認參數(shù)情況下將CPU外頻至400×7，DIMM電壓為默認1.8V不變的情況下FSB:DRAM比值為1:1，此時的內(nèi)存頻率為800MHz，默認運行時序為5-5-5-15，穩(wěn)定通過Super PI 1M測試以及MemTest 100%測試。
800MHz 3-3-3-8 2.4V 接下來對這款內(nèi)存參數(shù)進行優(yōu)化，在主板BIOS中將DIMM電壓提升至2.4V，“Tcl-Trcd-Trp-Tras”幾項參數(shù)依次調(diào)節(jié)為“3-3-3-8”，開機后CPU-Z 1.35的識別信息略有偏差。如上圖所示，這里檢測Tras值為9，不過對于內(nèi)存性能測試并不會造成絲毫影響。金邦DDR2-800 Ultra內(nèi)存不負眾望，高頻、低延時下穩(wěn)定通過測試。不過小編隨后嘗試將DIMM電壓降低0.1V，也就是2.3V，發(fā)現(xiàn)無法通過穩(wěn)定性測試，而2.2V的情況下則無法開機。果不其然，Micron D9顆粒在超頻時對電壓還是非常依賴的。
1000MHz 4-4-4-8 2.4V 鎖定CPU頻率，通過異步的方式繼續(xù)摸索該內(nèi)存的頻率極限，這里同樣對主板的超頻性能是一個嚴格的考驗，小編之前嘗試用過其它幾塊965/975主板，在高頻率異步情況下均無法開機。電壓依然為2.4V，內(nèi)存頻率提升至1000MHz，F(xiàn)SB:DRAM比值為4:5，運行時序為3-3-3-8時的表現(xiàn)為無法開機。嘗試降低參數(shù)要求，運行時序為4-4-4-8時可以進入系統(tǒng)并通過穩(wěn)定性測試。
1066MHz 5-4-4-8 2.4V 繼續(xù)進行“爬高”測試，DIMM電壓依然為2.4V，內(nèi)存頻率提升至1066MHz，F(xiàn)SB:DRAM比值為3:4，運行時序為4-4-4-8時可以進入系統(tǒng)卻無法通過穩(wěn)定性測試，嘗試降低參數(shù)要求，運行時序為5-4-4-8時測試全部通過。
1200MHz 6-6-6-8 2.4V 經(jīng)過了突破了1GHz大關(guān)后的欣喜，我們繼續(xù)尋找這款內(nèi)存的極限頻率，DIMM電壓保持為2.4V，根據(jù)主板BIOS的分頻設(shè)計，我們硬著頭皮嘗試了1200MHz是否可行，此時的FSB:DRAM比值為2:3。測試發(fā)現(xiàn)運行時序為5-4-4-8時無法開機，調(diào)整6-5-5-8后可以進入系統(tǒng)不過卻無法通過MemTest測試，最終在6-6-6-8這樣的“高延時”參數(shù)下完成了測試，而此時主板BIOS中的內(nèi)存CL值已經(jīng)調(diào)到了極限。
● 總結(jié)：
| 金邦DDR2-800 Ultra超頻參數(shù)表 | ||||||
| 頻率 | 電壓 | FSB:DRAM | 運行時序 | 進入系統(tǒng) | Super PI 1M | MemTest 100% |
| 800MHz | 1.8V | 1:1 | 5-5-5-15 | √ | √ | √ |
| 800MHz | 2.2V | 1:1 | 3-3-3-8 | × | × | × |
| 800MHz | 2.3V | 1:1 | 3-3-3-8 | √ | × | × |
| 800MHz | 2.4V | 1:1 | 3-3-3-8 | √ | √ | √ |
| 1000MHz | 2.4V | 4:5 | 3-3-3-8 | × | × | × |
| 1000MHz | 2.4V | 4:5 | 4-3-3-8 | √ | × | × |
| 1000MHz | 2.4V | 4:5 | 4-4-4-8 | √ | √ | √ |
| 1066MHz | 2.4V | 3:4 | 4-4-4-8 | √ | × | × |
| 1066MHz | 2.4V | 3:4 | 5-4-4-8 | √ | √ | √ |
| 1200MHz | 2.4V | 2:3 | 5-4-4-8 | × | × | × |
| 1200MHz | 2.4V | 2:3 | 6-5-5-8 | √ | √ | × |
| 1200MHz | 2.4V | 2:3 | 6-6-6-8 | √ | √ | √ |
在最后的超頻過程中，當處理器外頻鎖定在400FSB時，由于主板BIOS FSB:DRAM比值固定的關(guān)系，無論我們?nèi)绾握{(diào)整內(nèi)存參數(shù)以及電壓均無法突破1333MHz大關(guān)，不過這樣的超頻成績依然令我們十分滿意！
測試中我們也發(fā)現(xiàn)，隨著二級緩存容量的提升，如今的“扣肉”處理器對內(nèi)存時序并不敏感，而且在內(nèi)存異步高外頻條件下的性能提升也不明顯，不過金邦DDR2-800 Ultra內(nèi)存的搶眼表現(xiàn)依然無法掩蓋。當前可以在雙通道條件下穩(wěn)定運行在1200MHz頻率下的DDR2內(nèi)存屈指可數(shù)，這里我們特別強調(diào)雙通道內(nèi)存，有經(jīng)驗的超頻玩家都知道，不同內(nèi)存、甚至同一根內(nèi)存不同顆粒的超頻體質(zhì)差異往往決定了是否可以創(chuàng)造出好的成績。這也是諸如：Corsair、G.SKILL、OCZ等知名超頻內(nèi)存品牌都喜歡將特選顆粒的特選條，在經(jīng)過人工測試、篩選匹配到一起，以雙通道套裝的形式發(fā)售的重要原因。
之前我們一篇《PCPOP破世界外頻紀錄 超頻第一人專訪》文章相信大家都有印象，為了追求同步600外頻也僅采用了單條512MB的內(nèi)存設(shè)置。對于追求極限CPU、內(nèi)存同步高外頻的超頻玩家來說，金邦DDR2-800 Ultra雙通道套裝非常值得推薦！
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