BH5顆粒又如何?勤茂套裝內存超頻測試
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今年初開始，在國內很少受到人們關注的勤茂（TwinMOS）內存一下子在市場中走俏起來，而這其中有一個并不算公開的秘密，那就是據傳聞今年新出廠的勤茂內存有部分采用了華邦顆粒。
或許你要問，華邦顆粒是什么意思？它有現代顆粒和三星顆粒好嗎？在這里我可以很嚴肅的告訴你，華邦（Winbond）顆粒曾經是非常優秀的內存超頻顆粒，其中尤其以BH5最為出名，它最大的特點就是：在極高的內存電壓下可以達到2-2-2-X的內存參數值。過去在Corsair XMS-PC3200LL系列、OCZ PC3500 Platinum Edition系列以及Kingston HyperX系列等等這些高端內存中都曾經采用過華邦BH5顆粒，很可惜的是它現在已經停產了……
1G雙通道套裝 經過我們與勤茂內存北京總代理方面的咨詢，我們得知今年新上市的這批勤茂內存所采用華邦顆粒的消息屬實，而且這批內存中還包含有特意為廣大超頻愛好者們準備的——采用華邦BH5顆粒的1G雙通道內存套裝。今天小編就將針對此內存做一個性能測試，看看這款平價內存超頻王的實力究竟如何。
看上去很普通的樣子 打開包裝后，我們可以看到這款內存采用反正面各8顆的芯片排列方式，這也是512MB內存最普遍的形式。內存顆粒表面并沒有像其它品牌高端內存一樣附帶散熱片，盡管如此，我們卻可以看到內存PCB表面的各個元件都很整齊，焊點部分處理得光亮飽滿。
激光防偽貼紙 內存顆粒表面有勤茂內存一貫所采用的激光防偽帖紙，“SPEED PREMIUM”標識象征著勤茂高端內存的含義。
內存編號貼紙 在這張內存內存編號貼紙上，我們除了可以看到內存的一些出廠編號外，還可以了解到其規格為PC 3200（DDR 400），默認CL值為2.5，單條容量為512MB。
顆粒編號 從內存顆粒的外觀來看，兩個向下凹的圓圈和兩條貫穿顆粒的金屬線
的確符合華邦顆粒的明顯特征。而且編號中間一行我們也可以看到有BH5字樣，當然這也不能證明什么，具體的內存性能我們要通過進一步測試才能驗證。
測試內存是一項要求你耐心和細心的工作，和我們超頻CPU時在外頻與倍頻中尋求最好的搭配組合一樣，超頻內存則需要你在內存頻率及內存參數中反復測試來發掘它的非常好的性能。
測試平臺 在測試平臺方面，我們選擇了目前如日中天的nForce4芯片組。特別是DFI這款nForce4-DAGF主板不但內存調節參數繁多，而且最高還支持內存電壓到3.2V。主板能提供高電壓對于測試一款采用華邦BH5顆粒的內存是十分重要的。
測試時，我們將采用大家所公認性能較好的雙通道，同時開“1T”內存模式來考驗內存的性能。而且在超頻及優化內存參數時一定要通過MemTest 300%才算通過，否則將不考核其測試成績。
CPU-Z 1.29截圖 CPU-Z 1.29截圖 以上是CPU-Z 1.29的內存信息截圖，我們可以看到勤茂1G雙通道套裝內存的SPD信息非常完整，兩條內存的生產日期均為2005年第9周的產品。默認內存參數為200MHz 2.5-3-3-8,還算是比較保守的。
眾所周知，華邦BH5顆粒在將CL值設置成3時是不能開機的，于是我們首先測試了一下這個最簡單的項目。呵呵，測試結果果然如此。
接下來我們先來測試一下該內存在默認頻率、默認參數下的性能。內存的默認電壓為2.6V，200MHz 2.5-3-3-8測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內存帶寬測試（分數越高越好） PCMark04內存單項測試（分數越高越好） EVEREST內存讀取數據測試（分數越高越好） EVEREST內存寫入數據測試（分數越高越好） EVEREST內存潛伏時間測試（分數越低越好） 得分很正常，和我們常見的DDR400內存分數持平，這也是由于其默認內存參數比較保守的原因。
DDR400既是作為目前主流的內存規范，同時又符合標準的系統前端總線頻率，因此一款DDR400內存在其標準頻率下能達到的最優化參數是大家都十分關注的。
我們在主板BIOS中嘗試將主要影響內存性能的：CL、TRCD、TRP和TRAS這4個延時參數調整為2-2-2-5，這也是DFI nForce4-DAGF主板能達到的非常好的內存參數了。
默認電壓2.6V時測試MemTest發現不穩定，加電壓到2.7V時仍然不能通過測試，2.8V可以通過MemTest 300%，測試軟件分數如下：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內存帶寬測試（分數越高越好） PCMark04內存單項測試（分數越高越好） EVEREST內存讀取數據測試（分數越高越好） EVEREST內存寫入數據測試（分數越高越好） EVEREST內存潛伏時間測試（分數越低越好） 盡管需要加到2.8V才能實現DDR400 2-2-2-5，而且實際所的分數也并不比默認參數下高出多少，但是不可否認的是這仍然是華邦BH5顆粒的主要賣點之一。畢竟在DDR400下CL=2能穩定通過測試的內存可以說寥寥無幾。
測試好內存默認頻率下的最優化參數后，我們開始嘗試內存的主要超頻能力，也就是通過提高它的頻率來達到和系統前端總線一至，以便得到更好的系統整體性能。
我們首先在主板BIOS中將CPU的外頻提高到210MHz，由于CPU與內存之間頻率比鎖定到了1：1，這樣以來內存的實際頻率隨之也提高到210MHz。
默認電壓2.6V時進系統死機，重新啟動依舊如此。我們將內存電壓提升到2.7V后，再次開機則一切正常并且通過MemTest 300%測試。軟件測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內存帶寬測試（分數越高越好） PCMark04內存單項測試（分數越高越好） EVEREST內存讀取數據測試（分數越高越好） EVEREST內存寫入數據測試（分數越高越好） EVEREST內存潛伏時間測試（分數越低越好） 在內存運行在210MHz 2.5-3-3-8時，我們可以看到整體成績均在200MHz 2.0-2-2-5之上。只有在EVEREST內存潛伏時間測試時，更低的內存延時才略顯出優勢。要內存頻率還是要內存參數，現在大家心里已經有數了吧。
繼續按照上面的方法，我們繼續將CPU外頻提高到220MHz，內存頻率也提升到220MHz。
默認電壓2.6V不能開機，內存電壓提升到2.7V時進系統藍屏，2.8V電壓時測試MemTest報錯，繼續加電壓到2.9V時則可以通過MemTest 300%。軟件測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內存帶寬測試（分數越高越好） PCMark04內存單項測試（分數越高越好） EVEREST內存讀取數據測試（分數越高越好） EVEREST內存寫入數據測試（分數越高越好） EVEREST內存潛伏時間測試（分數越低越好） 整體分數又比220MHz時有所提升，不過需要2.9V電壓才能達到220MHz穩定，我們感覺這款內存在上高外頻方面并不比我們常見的DDR400內存出色。
將內存頻率提升到230MHz，沿用剛才的2.9V電壓進系統發生死機，3.0V電壓時可以進系統但是不能通過MemTest測試，內存電壓加到3.1V時才能順利通過MemTest 300%測試，至此我們已經預感到這款內存已經沒有提升頻率的空間了。以下是該內存在3.1V電壓，230MHz頻率時的軟件測試成績：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內存帶寬測試（分數越高越好） PCMark04內存單項測試（分數越高越好） EVEREST內存讀取數據測試（分數越高越好） EVEREST內存寫入數據測試（分數越高越好） EVEREST內存潛伏時間測試（分數越低越好） 按這個超頻情況看，其規律大概是每提升0.2V電壓，內存頻率也可以再上升10MHz。不過目前市面上的主板能提供3V以上DIMM電壓的可真是為數不多哦！
果不其然，在我們將這款內存沖擊240MHz時遇到了困難，即便我們將內存電壓加到了DFI nForce4-DAGF主板的極限3.2V，也仍然不能通過MemTest 300%的測試。于是我們開始尋求這款內存的極限頻率&參數。
經過反復調試，這款內存最終可以在3.2V電壓下，頻率235MHz，參數2-2-2-5通過MemTest 300%測試，這也是這款內存的極限頻率&參數了。軟件測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內存帶寬測試（分數越高越好） PCMark04內存單項測試（分數越高越好） EVEREST內存讀取數據測試（分數越高越好） EVEREST內存寫入數據測試（分數越高越好） EVEREST內存潛伏時間測試（分數越低越好） 在內存頻率達到235MHz，延時參數為2.0-2-2-5時，這款內存的終極性能終于爆發了。其中SiSoftware內存帶寬的分數已經逼近了6000分大觀，EVEREST內存讀取數據測試方面的排名也非常靠前，得分甚至超過了Pentium EE840+Intel 955X+DDR2 667的超強組合。
為了方便大家更直觀的對比內存在每個頻率范圍，受到電壓以及延時參數對性能所造成的細微影響，我們將測試結果做出圖表以方便大家查看。
SiSoftware內存帶寬測試（分數越高越好） SiSoftware內存帶寬測試（分數越高越好） PCMark04內存單項測試（分數越高越好） EVEREST內存讀取數據測試（分數越高越好） EVEREST內存寫入數據測試（分數越高越好） EVEREST內存潛伏時間測試（分數越低越好）最后總結：
根據我們收到的勤茂1G雙通道內存套裝的測試結果來看，其整體性能基本另我們滿意。不過這款內存最大的弊病是上高外頻的能力略顯不足，235MHz已經是它的極限頻率，這點值得大家注意。同時在測試中也反映出這款內存對內存電壓方面非常敏感，這點非常符合華邦內存顆粒的特點。通過上面列出的數據表，我們可以推斷基本每提升0.2V電壓就可以提升10MHz的頻率，而且能在235MHz頻率下將延時參數調整為2-2-2-5穩定運行真是非常強悍。
最后我們要強調一點，在挑選內存的時候就和挑選CPU一樣，其中還是包含一些運氣程度的。就算是同一品牌同一型號甚至是同一顆粒的內存，在實際使用中超頻的幅度也往往不一樣，這也是Corsair、OCZ這類廠商將超頻優秀的內存顆粒再次進行篩選，將那些優品顆粒加工成成品賣高價的重要原因。
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