英特爾QLC 3D NAND固態硬盤生產量突破1000萬塊

　　引自techpowerup的消息。英特爾QLC 3D NAND固態硬盤的生產量目前已突破1000萬塊。這種產品于2018年底開始生產，這一里程碑的生產量已讓四級單元存儲器(QLC)逐漸成為了大容量固態硬盤的主流技術。

　　英特爾SSD戰略規劃和產品營銷總監Dave Lundell表示：“許多公司都在談論QLC技術，但英特爾已經大規模制造了它。我們看到了對獨立QLC固態硬盤(Intel固態硬盤660p)的性價比以及Intel Optane Technology+QLC解決方案(Intel Optane Memory H10)性能的強勁需求。”

　　以下是一些與這一成就相關的事實:

　　Intel QLC 3D NAND用于Intel固態硬盤660p、Intel固態硬盤665p和Intel Optane Memory H10。

　　Intel的QLC驅動器每個單元有4位，并以64層和96層NAND配置存儲數據。

　　英特爾過去十年一直在開發這項技術。2016年，英特爾工程師將已經被證實的浮柵(FG)技術方向改為垂直方向，并將其集成在GAA架構當中。三級單元存儲器(TLC)技術可以存儲384 Gb/die。在2018年，3D QLC閃存成為現實，它具有64層，每個單元具有4位，能夠存儲1024 Gb/die。在2019年，英特爾升級到96層，這樣在存儲芯片面積不變的情況下，能夠集成更多的存儲單元。

　　QLC現在是英特爾整體存儲產品組合的一部分，該產品組合包括客戶端和數據中心產品。