美光開始量產(chǎn)第三代16Gb DDR4內(nèi)存：1Znm工藝、功耗更低

　　近日，美光官方宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，是第三代10nm級內(nèi)存工藝，并且也是業(yè)界首次批量生產(chǎn)1Znm工藝產(chǎn)品，進度比三星還要迅速。

　　美光表示，與上一代1Ynm制程相比，1Znm制程的16Gb DDR4內(nèi)存芯片擁有更高的密度、更強的性能以及更低的成本。但是目前美光官方并沒有公布這款內(nèi)存的具體數(shù)據(jù)，僅明確表示1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存相比較于前幾代8Gb DDR4內(nèi)存降低約40%的功耗，而性能和成本數(shù)據(jù)沒有明確回答，不過可以肯定的是，更先進的制程工藝往往代表著更高的性能。

　　值得一提的是，在美光此前公布的產(chǎn)品路線圖中，1Znm工藝后還會有1αnm、1βnm、1γnm工藝，所以在10nm級別產(chǎn)品中會有六種制造工藝，而現(xiàn)在恰好是研發(fā)到了第三代10nm級別的內(nèi)存。此外，美光還表示將批量出貨業(yè)界容量最高的16Gb LPDDR4X內(nèi)存，并且基于UFS的多芯片封裝：uMCP，可以滿足業(yè)界中對低功耗、小封裝的需求。

　　目前美光尚未公布這款內(nèi)存的具體上市時間，而美光在DRAM市場的主要競爭對手三星也在去年春季宣布稱，將在今年下半年開始生產(chǎn)1Znm工藝8Gb DDR4模塊，而可能正是因為這個原因，導(dǎo)致美光加速生產(chǎn)自己的1Znm產(chǎn)品，從而更快占領(lǐng)相關(guān)市場份額。

　　本文編輯：王稀仕