西部數據推出新款3D NAND iNAND 嵌入式閃存盤

    今天，西部數據公司在京舉辦了一場發布會，宣布推出全新先進的iNAND嵌入式閃存盤 (EFD) ，采用了西部數據的64層3D NAND技術和先進的UFS與e.MMC接口技術?？梢詾橹悄苁謾C用戶帶來更好的使用體驗。

    兩款新品的型號分別是閃迪iNAND8521和iNAND 7550嵌入式閃存盤，兩款新品在容量上達到了256GB的高容量，可以為以數據為中心的大量應用加速，包括增強現實（AR）、高分辨率視頻捕捉和豐富的社交媒體體驗，當然還有新興的終端人工智能 (AI) 和物聯網 (IoT)體驗。

西部數據公司 嵌入式及集成解決方案(EIS) 產品市場管理總監-包繼紅女士

    據介紹，iNAND 8521嵌入式閃存盤是專為大量數據的用戶需求設計，采用UFS 2.1接口和西部數據新型第五代SmartSLC 技術。相比上一代的iNAND 7232嵌入式閃存而言，新品在速度上也得到了極大的提升，順序寫入速度翻倍，而隨機寫入更是過去的十倍，用戶在玩AR游戲或者下載數據的時候，都可以得到更好體驗。

    另一款iNAND 7550嵌入式閃存盤則基于e.MMC 5.1規范，是目前西部數據基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案，可提供高達260 MB/秒的順序寫入性能以及20K IOPS和15K IOPS的隨機讀/寫性能，更有助于同時加快自身和應用啟動的速度。

    Counterpoint Research智能設備及生態系統研究總監閆占孟先生預計到2018年末，智能手機的平均存儲容量將超過60GB，用以支持由設備上人工智能和增強現實所帶來的日益增多的豐富多媒體內容和數據驅動體驗。將大大推動了產品向先進的3D NAND嵌入式閃存解決方案演進?！?/p>

    本文編輯：宋陽

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