E5200超4G很容易！P43配DDR3超頻測(cè)試

    [泡泡網(wǎng)主板頻道6月5日] 今年1-6月份，DDR3內(nèi)存價(jià)格下跌了近40%，這是DDR3內(nèi)存上市近三年來(lái)的最大降幅。歷史驚人的相似，2005年被稱(chēng)為“DDR2內(nèi)存普及元年”，當(dāng)時(shí)的512M的DDR2-533內(nèi)存由于陡降至300多元，實(shí)現(xiàn)了與同容量DDR內(nèi)存價(jià)格持平，而很快得到了市場(chǎng)認(rèn)同，掀起了轟轟烈烈的換代普及風(fēng)潮。轉(zhuǎn)眼過(guò)去了近4年，DDR3內(nèi)存也由最初的產(chǎn)品展示、技術(shù)改良到今天的大量上市、選擇豐富，從產(chǎn)品價(jià)格來(lái)看，DDR3內(nèi)存已經(jīng)步入主流價(jià)位；而按照產(chǎn)品周期來(lái)分析，它顯然已經(jīng)步入了市場(chǎng)的成熟期。

    從內(nèi)存每次的升級(jí)換代就可以看出，2001年DDR內(nèi)存的普及，到2006年DDR2內(nèi)存開(kāi)始普及，如今正值2009年，三年一輪回的DDR3內(nèi)存升級(jí)又即將成為主旋律，DDR2內(nèi)存由于受到頻率限制，已經(jīng)無(wú)法繼續(xù)提升，而隨著DDR3 1333內(nèi)存的價(jià)格降低，價(jià)格相差不大的DDR3內(nèi)存從性能上已經(jīng)足夠超越DDR2內(nèi)存的今天，DDR3內(nèi)存即將正式登上內(nèi)存舞臺(tái)。

    新一代DDR3內(nèi)存可以減少30%的功耗，其工作電壓從上一代的1.8V降至1.5V，I/O緩沖的電壓也更低，驅(qū)動(dòng)阻抗也降低了。在性能方面，相對(duì)   于DDR2內(nèi)存的4bit預(yù)取機(jī)制，DDR3內(nèi)存模組最大的改進(jìn)就是采用了8bit預(yù)取機(jī)制設(shè)計(jì)，也就是內(nèi)部同時(shí)并發(fā)8位數(shù)據(jù)。在相同頻率下，DDR3的數(shù)據(jù)傳輸率是DDR2的兩倍，性能表現(xiàn)也更為出色。此外，DDR3內(nèi)存還增加了點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)和異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)等全新功能。

    曾有廠(chǎng)商推出只支持DDR3內(nèi)存的主板，但是由于走得太超前，消費(fèi)者無(wú)法接受，因此市場(chǎng)效果并不好。隨著DDR3內(nèi)存的價(jià)格不斷降低，但是只支持DDR3的主板還是比較少，市場(chǎng)上能夠支持DDR3內(nèi)存的主板還是以支持DDR2/3的過(guò)渡型主板為主，在一定程度上滿(mǎn)足了用戶(hù)的過(guò)渡使用心理，同時(shí)也推動(dòng)了DDR3內(nèi)存的普及。今天就給大家介紹一款支持DDR2/3內(nèi)存過(guò)渡的主板，這款主板不僅具有很好的過(guò)渡性，還具有很強(qiáng)的超頻性能。