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        三星在9月份的固態(tài)硬盤峰會上拋出了觀點“從現(xiàn)在開始,TLC就是MLC”,他們認為,隨著主控的升級、堆疊技術(shù)提升容量,外界詬病的所謂“壽命”“讀寫速度”的問題會逐漸消弭。

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        作為3D NAND技術(shù)上最激進的兩大廠商,三星和東芝都在近日投資興建新的閃存廠。

        東芝昨日宣布,將在日本四日市投資建企,合作方有西部數(shù)據(jù),預(yù)計2017年2月動工,2018年夏季啟用。

        據(jù)悉,該工廠的將以生產(chǎn)3D Flash為主要使命,同時采用全LED照明燈、加固制造機器等,以防止地震等自然災(zāi)害。

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        目前,各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒,由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問題,如今3D NAND的良品率并不高,總產(chǎn)量也不夠高,因而才引發(fā)了當下固態(tài)硬盤市場價格的瘋漲。

        在今后的48層、64層TLC成熟之后,1TB的TLC將成為主流并在壽命上和200GB左右的MLC持平。

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