GF正式宣布7nm FinFET制程工藝規劃

    代工廠GlobalFoundries今天官方宣布了7nm FinFET半導體工藝規劃，面向數據中心、網絡、高級移動處理器、深度學習等領域。GF目前的主力性能工藝是14nm FinFET，但此前就披露下一步將跳過行業流行的10nm而直奔7nm，因為GF認為10nm和之前的20nm一樣只是過渡工藝，7nm才是下一個高性能節點。

    AMD也已經和GF首次簽署了為期五年的晶圓供應協議，將共同進軍7nm。

    GF表示，7nm FinFET工藝將使用行業標準的FinFET晶體管架構和光刻技術，因此可在很大程度上重新利用現有14nm FinFET工藝的工具和資源，大大加速投產進度，同時還會兼容EUV極紫外光刻技術，為未來發展做好儲備。

    GF 14nm FinFET工藝目前正在美國紐約州的Fab 8工廠內量產，并將為7nm FinFET工藝的開發和生產，繼續投資幾十億美元。

    GF宣稱，7nm FinFET工藝相比有目前的16/14nm FinFET，電路集成密度可以增加超過1倍，性能則可以提升30％。

    AMD自然將是GF 7nm FinFET工藝的主要客戶，據稱新處理器代號“Starship”，最多48核心96線程，熱設計功耗180W。

    AMD CEO蘇姿豐博士也特別表示：“GF 7nm FinFET等優異技術是我們計算、圖形產品長期路線圖的重要組成部分，可支撐下一代計算體驗。我們期待與GF繼續緊密合作，延續其在14nm上的堅定執行力和技術基礎，從而在未來幾年內實現高性能低功耗的7nm技術。”

    作為GF的技術來源之一，IBM也對其勇敢進軍7nm表達了大力支持。

    GF 7nm已經開始內部測試，預計2017年下半年開始接受客戶產品設計，2018年初投入試產。

    另消息稱，Intel 7nm已經推遲到2022年。

    除了高性能的7nm FinFET，GF日前還宣布了下一代低功耗工藝12nm FD-SOI(12FDX)，將繼承22FDX，面向移動計算、5G互連、人工智能、自動駕駛等領域，計劃2019年量產。■