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游戲性能提升43％！市售優品內存實測

2005年09月27日 00:01作者：工作狂人編輯：鐘楊文章出處：泡泡網原創

一直以來我們都把目光過多的關注于CPU，似乎CPU的快慢包含了性能的一切，而今CPU已經足夠快速，我們又在尋找另一個性能增長點－內存。早在SDRAM時代，我們對于內存帶寬就形成了初步概念。時至今日，內存帶寬已經成為除CPU以外對整體性能影響最大的因素。

內存性能真的那么重要？為什么我們過去一直忽視了那么長一段時間，首先讓我們看看以往我們的測試結果。

不同延遲不同頻率下，內存的影響

高頻率下，低延遲中，好內存能讓你的游戲能快多少？

通過以上性能對比圖，不用說大家也已經明白內存性能的重要性了吧，就只在1024×768的分辨率下游戲FPS數值便提高了43％之多。

如何能獲得較好的內存性能？高頻率低延遲。幾乎所有的超頻玩家都知道目前最優秀的內存顆粒為Samsung TCCD 和Winbond UTT BH5/CH5，各大內存廠商都在自己的高端產品中使用這樣的內存顆粒。如果你是一位非常關心內存性能的玩家，你將會發現采用TCCD或者是UTT內存顆粒的內存PCB全部出自——Brainpower，而它的PCB編號為808或者是815。現在要想擁有最好的內存性能，一對使用Samsung TCCD 和Winbond UTT BH5顆粒的內存一定是你的必備品。什么品牌的內存在使用這樣的顆粒？如何購買到這樣的內存？

記得不久前金邦科技推出了最新一代的超品玩家內存——GeIL ONE(Double Spec DDR)，可以說是DDR超頻市場上最具震憾力的新產品。

此系列產品采用三星TCCD及華邦BH顆粒，GeIL ONE GOS產品，在400MHz的速度，CL值設定CAS1.5-2-2-5，或可以超頻至600MHz ( CAS 2.5-4-4-7)，并且可以超越Ultra X系列成為市場上可見的最高頻產品。

汗！超頻至DDR700下CL依然能穩2.5

不久前，在一次展示活動中，金邦采用三星TCCD顆粒的GeIL ONE DDR內存竟然可以運行2.5-3-3-7的頻率，采用512MB DDR400×2構成雙通道模式，使用的主板為DFI LANParty NForce4豪華版。測試的處理器為AMD A64 3000＋ 512KB L2 Cache，并成功的通過了測試軟件SuperPI 1M。

超頻過程在場有國內知名網站編輯，共同見證了超頻的真實性，此圖并非處理的，而是真實的超頻截屏。

UTT是華邦最新推出的DDR內存顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。UTT在一點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同。

過去發現的采用UTT顆粒的內存產品

采用華邦（WINBOND）UTT BH-5顆粒的產品，UTT就是BH-5的改進版不但保持BH-5的低時序的特點而且頻率上限也有了很大的提高。

外包裝的左上角有GEIL ONE W標示，表示采用的華邦芯片

外包裝右下角有GEIL ONE字樣，表示金邦GEIL ONE系列

　　露面的ONE系列內存，在200MHz/DDR400下，內存時序為CL1.5 5-2-2，250MHz/DDR500下為CL2 5-2-2，電壓范圍是2.55v-2.95v，產地是臺灣。這款產品曾在2005臺北Computex展出。

　　在DDR時代，低延遲帶來的性能提升更為顯著。在VR-Zone的一個測試中，Winbond BH5芯片，3.9v 266MHz/DDR533 @ CL2 2-2-2，sandra2005的內存帶寬測試達到了8GB/s。目前DDR400/PC3200的最低延遲都是CL2.0，CL1.5內存的到來，將更大幅度的提升內存的帶寬，讓更多的玩家體驗高性能帶來的快感。

GOW產品 - GOW5123200DC (256MBX2) , GOW1GB3200DC(512MBX2)
PC3200 DDR 400 CAS 1.5-2-2-5< PC4000 DDR 500 CAS 2-2-2-5

* 雙通道512MB(256MBX2)及1GB (512MBX2 )包裝
* GeIL 篩選的BH-5 UTT 32mx8 DDR 顆粒制成
* 184pin, Non-ECC, Un-buffered DDR DIMM
* 銅鍍鎳白金條散熱片
* 零售包裝
* 終身保固

　　TCCD對于電壓的比較敏感，但是并不需要太高的電壓就可以完全進入高效狀態，在2.8V或者更低電壓下即可達成，幾乎適用于所有的主流主板。目前采用TCCD顆粒的內存產品在沒有改造過的主板上可以輕松達到DDR600的水準，可以滿足不同需求的所有用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時候的參數不足可以通過更高的工作頻率來彌補，只是和某些主板的兼容性不是太理想（這一點和BH-5沒的比啊）。目前幾乎所有的內存頻寬記錄都是由TCCD創造的，Kingston Hyper X， Corsair XMS， Patriot XBL， Mushkin Level 2， G.Skill， PQI Turbo 以及Adata等采用TCCD顆粒的產品已經成為超頻玩家們追捧的對象，當然售價也是高高在上。

內存頻率	SPD參數	內存模式		內存電壓
200HTT	2.0-2-2-5	1T	2.6V
200HTT	1.5-2-2-5	1T	2.8V
225HTT	1.5-2-2-5	1T	2.8V
230HTT	1.5-2-2-5	1T	3.0V
265HTT	2.5-3-3-7	1T	2.6V
300HTT	2.5-4-3-7	1T	2.6V

超頻成績

GOS產品 –GOS5123200DC (256MBX2) , GOS1GB3200DC(512MBX2)
PC3200 DDR 400 CAS 1.5-2-2-5< PC4700 DDR 600 CAS 2.5-4-4-7 >

* 雙通道512MB(256MBX2)及1GB (512MBX2 )包裝
* GeIL 篩選的TCCD 32mx8 DDR 顆粒制成
* 184pin, Non-ECC, Un-buffered DDR DIMM
* 銅鍍鎳白金條散熱片
* 零售包裝
* 終身保固
* 2.55V-2.85V

超頻內存你用哪個？？

CPU-Z官方根據近40000份超頻數據整理出來的內存品牌所占比例

DDR600同步，內存延遲CL=2.5，1T！

延遲極限探索！DDR600同步，內存參數5－3－3－2.5

目前而許多程序，對內存延遲的依賴程度要高于對工作頻率的要求。AMD平臺向來也能從內存延遲上獲得不少的性能提升。x-bit labs調查顯示，61％的用戶選擇高頻低延遲哪詿媯?0％用戶認為延遲比頻率更重要，還有19％的用戶看重頻率，對延遲不太在意。

優點：

·漂亮的鉑材質散熱片

·對主板電壓要求不高

·2.8V電壓可以穩定運行CAS 1.5

·2.6V電壓可以穩定運行300 HTT 2.5-4-3-7

·所用顆粒全部為精心挑選的30%優品

缺點：

·價格會非常貴

同時玩家也提供了其網絡購買地址，也就是知名網絡硬件交易商“新蛋”，有興趣的朋友可以看看：http://www.newegg.com.cn/Products/ProductDetail.aspx?sysno=12641

1、CL（CAS Latency）

　　中文名稱為“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”，在BIOS中的選項可能為：2、2.5和3。隨著DFI NF4主板的出現，還增加了1.5這個極限選項。這個參數很重要，內存條銘牌上一般都有推薦參數。較低的CAS周期能減少內存的潛伏周期以提高內存的工作效率。因此只要能夠穩定運行操作系統，我們應當盡量把CAS參數調低。反過來，如果內存運行不穩定，可以將此參數設大，以提高穩定性。

2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）

　　中文為“行尋址至列尋址延遲時間”，一般選項有2、3、4、5，別名有Active to CMD等。對于延遲時間，當然是數值越小，性能越好。
　　
3、tRP（RAS Precharge Time）

　　“內存行地址控制器預充電時間”一般只有2、3、4三個選項。這個參數的名稱也比較多，一般有RAS Precharge、Precharge to active幾種。tRP值越低，預充電參數越小，則內存讀寫速度就越快。

4、tRAS（RAS Active Time）

“內存行有效至預充電的最短周期”nForce系列主板對它的調節幅度最大，從1到15都可選擇。別名也是最多的： Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。調整這個參數需要結合具體情況而定，推薦參數選項有5，6或者7這3個。大多數情況還要結合主板和CPU情況，并不是說越大或越小就越好。

　　進入了64位時代，內存參數調節又多了一個選項――Command Rate。
這個選項就是K8平臺超頻時所稱的“1T、2T”，全名“首命令延遲”，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。

由于DDR內存在尋址時，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。

顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分K8主板默認參數都比較保守，采用2T。

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